【面向7nm及以下节点！上海微电子公开“极紫外辐射发生装置及光刻设备”发明专利】

天眼查显示，上海微电子装备（集团）股份有限公司于9月10日披露了一项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利，申请日期为2023年3月9日，申请号为CN202310226636.7，发明人为王伟伟、付辉、卢嘉玺、张洪博、蔡万宠、张子辰。

据介绍，本发明提供了一种极紫外辐射发生装置及光刻设备，极紫外辐射发生装置包括腔体；靶材发生器；激光发生器，用于向靶材发射激光并产生带电粒子及极紫外光；设于腔体内的收集器镜，用于沿收集器镜的光轴收集并反射极紫外光；设于腔体内的若干电极板，相邻电极板之间形成有电场，利用电场约束带电粒子及利用电极板收集不同极性的带电粒子；以及，气控部件，用于产生氢自由基，其经过电极板与带电粒子反应形成气体并排出。

极紫外光刻是面向7nm及以下节点的主流光刻技术，极紫外光刻采用13.5nm波长的极紫外光。以采用激光轰击锡滴产生极紫外光为例，被轰击所产生的锡碎屑(带电粒子)向周围扩散，极易污染收集器镜，严重影响收集器镜的使用寿命。本发明的目的在于提供一种极紫外辐射发生装置及光刻设备，用于高效且简便地收集带电粒子以提高收集器镜的使用寿命。