全球存储芯片“集体涨价”，长江存储、长鑫存储等国产替代加速

​近期，全球存储芯片市场正经历新一轮价格飙升，三星、美光、SK海力士等头部厂商集体上调产品报价，DRAM与NAND Flash价格半年内累计涨幅超200%，部分高端产品甚至出现“一货难求”的紧缺局面。这场由AI技术驱动的涨价潮，不仅重塑了行业格局，更将存储芯片推向了全球科技竞争的核心舞台。

头部厂商集体提价，市场现“抢货”潮

2025年9月以来，存储芯片市场迎来两轮涨价周期。第一轮由NAND Flash引领，闪迪于4月1日率先宣布对消费类NAND产品提价超10%；第二轮则从9月全面爆发，三星、美光、SK海力士等巨头相继跟进。

其中，三星将部分DRAM价格上调15%-30%，NAND闪存涨幅达5%-10%；美光暂停所有产品报价，并通知客户价格涨幅达20%-30%；闪迪同步上调NAND报价约10%。现货市场反应更为激烈。DDR4内存价格在不到一个月内累计上涨近30%，半年涨幅超200%；512GB NAND闪存价格单月上涨近10%。

据TrendForce预测，2025年第四季度NAND Flash价格将再涨5%-10%，服务器用eSSD涨幅或达10%以上。资本市场同步沸腾，美光股价近一个月上涨约60%，铠侠与闪迪涨幅超100%，A股存储板块如江波龙、兆易创新等个股单日涨幅超18%，创历史新高。

本轮涨价的核心驱动力是AI技术对存储容量的指数级需求。AI服务器对DRAM和NAND的需求分别为普通服务器的8倍和3倍，单台配置高达2TB。OpenAI“星际之门”项目每月需采购90万片DRAM晶圆，占全球产量近40%；四家云巨头对AI相关NAND订单已达200EB，远超原定2026年预期。HBM（高带宽内存）作为AI服务器核心组件，价格年内飙升500%，单颗价格突破5000美元，毛利率达50%-60%，客户需提前一年锁定产能。

供给端则呈现“冰火两重天”。三星、SK海力士、美光为追逐HBM高利润，纷纷削减DDR4等传统产品产能。三星停止DDR4生产，SK海力士计划将其产能压缩至20%；NAND方面，厂商缩减消费级产能，转向企业级3D QLC产品。产能重构导致市场供需错配，高端产品紧缺，中低端因减产过快出现错配。群联电子CEO直言，NAND未来十年供应紧张，2026年或面临严重短缺。

在涨价潮中，技术迭代成为厂商争夺市场的关键。HBM领域，SK海力士凭借HBM3/HBM3E领先，占全球市场约60%，率先推出12层堆叠HBM4样品；三星依托4nm逻辑+10nm DRAM工艺推进HBM4量产；美光聚焦汽车与边缘计算领域HBM3E变体，细分市占率达35%。JEDEC于2025年4月发布HBM4标准，采用2048位接口、传输速率8GB/s，总带宽超2TB/s，并引入低电压选项。

3D NAND堆叠层数持续攀升，SK海力士已量产全球首款321层2Tb QLC NAND，容量与速度翻倍，计划2025年末完成400层以上技术准备；三星V10 NAND规划430层活性层，接口速度5.6GT/s。为应对AI推理需求，高带宽闪存（HBF）技术兴起，西部数据计划2026年推出搭载HBF的企业级方案，目标获取北美云服务商30%以上推理节点订单。

摩根士丹利研报指出，AI推动存储供需失衡加剧，预计到2027年全球存储市场规模将逼近3000亿美元。与以往依赖消费端需求的3-4年传统周期不同，本轮上行由企业级AI资本开支主导，景气度至少延续至2026年第二季度。高盛与TrendForce预测，DRAM季度环比涨幅或达8%-13%，NAND为5%-10%，叠加HBM将更为显著。

中国存储芯片国产替代加速突围

在全球存储芯片市场因AI需求爆发掀起新一轮涨价潮的背景下，中国存储芯片产业正以“国产替代”为核心战略，加速突破技术壁垒，实现从“跟跑”到“并跑”的跨越。长江存储、长鑫存储等龙头企业引领下，国产存储芯片在产能、技术、市场占有率等方面取得显著进展，成为全球半导体产业格局重构的关键力量。

作为国产存储芯片的标杆企业，长江存储在3D NAND领域实现多项技术突破。其自主研发的Xtacking架构通过垂直分离存储单元与外围电路，将等效存储密度提升至294层，位密度达15.03 Gb/mm²，超越三星、SK海力士的14.5-14.75 Gb/mm²，成为全球首个突破15 Gb/mm²密度的厂商。

2025年，长江存储量产的232层3D NAND芯片已广泛应用于企业级SSD和消费级产品，其消费级品牌“致态”在京东双11期间SSD销量超越三星，市场份额持续提升。

目前，长江存储正推进三期扩产计划：2025年底前将月产能提升至15万片，2026年启动三期招投标，分三阶段扩产5-6万片，2028年三期达产后总产能将达30万片/月，目标占据全球15%的NAND市场份额。

同时，长鑫存储在DRAM领域实现从技术追赶到局部领先的跨越。其DDR5产品良率达80%，单位晶圆成本较韩国厂商低15%-20%，性能对标国际大厂工艺。2025年9月，长鑫存储向华为交付G4制程（16nm）HBM3样品，计划2026年量产，技术代差缩小至3年。目前，长鑫存储DRAM产量预计达273万片/年，成为全球第四大DRAM厂商，仅次于三星、SK海力士、美光。

其二期工厂于2025年Q4试生产，新增产能8万片/月，聚焦15nm以下先进制程；三期工厂已启动设备采购，目标2026年扩产6-7万片/月，设备采购需求约60亿美元，国产化率超50%。

此外，全国产化产线落地，摆脱外部依赖。2025年下半年，长江存储首条全国产化设备产线导入试产，标志着中国存储芯片产业彻底摆脱对国外设备的依赖。该产线采用中微公司、拓荆科技等国内供应商的设备，国产化率达45%。

其中，中微公司的28nm刻蚀设备通过全流程验证，成功替代应用材料、东京电子的进口设备，2024年向长江存储交付85台刻蚀设备，合同金额超20亿元；拓荆科技的PECVD设备承担了60%的介质薄膜沉积任务，2025年Q1再获15台订单，同比翻倍。

而长鑫存储二期工厂聚焦15nm以下先进制程，DDR5产品性能对标三星K4X8G325EB，带宽达6400Mbps；三期工厂设备采购需求约60亿美元，刻蚀设备由北方华创主导供应，国产化率超50%。目前，长鑫存储已与兆易创新、朗迪集团等A股公司形成深度协同，兆易创新董事长朱一明同时担任长鑫科技董事长，双方在DRAM技术研发及代工销售上深度合作。

目前从利基市场到主流应用，国产存储芯片获全球客户青睐。随着AI大模型训练与数据中心建设成为核心驱动力，国产存储芯片在企业级市场快速渗透。长江存储的企业级SSD已广泛用于阿里云、腾讯云等国内主流云服务商，其16TB SSD价格从年初的2500元涨至3800元，涨幅达52%，但仍因供应紧张成为抢手货。

在消费级市场，国产存储芯片凭借性价比优势快速抢占份额。长江存储消费级品牌“致态”在京东双11期间SSD销量超越三星，其1TB SSD价格从350元涨至550元，涨幅40%，但仍因供应紧张多次断货。兆易创新45nm NOR Flash产能持续爬坡，预计2025年底对全年收入贡献提升至15%，2026年将补齐45nm产品线，32Mb及以上容量均实现量产。

国家集成电路产业投资基金二期（国家大基金二期）向存储芯片产业投入约1640亿元，重点扶持长江存储、长鑫存储等龙头企业。其中，长江存储获国家大基金持股超22%，2025年估值达1600亿元；长鑫存储市场估值超千亿元，合肥清辉集电、国家大基金二期、皖投集团等为其前三大股东。

根据Omdia预测，2025年全球DDR5市场规模将达620亿美元，中国厂商有望占据30%以上份额，全球市占率从目前的不足5%提升至12%。长江存储2026年目标全球NAND市占率15%，超越美光（当前16%）进入前三；长鑫存储则计划通过HBM3量产和技术迭代，进一步提升国际产品竞争力。